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電子行業高純水

襄樊儀表元件廠采用反滲透+混合床工藝製取高純水,用於矽片清洗。主要技術指標:

      反滲透產水量≥6T/H,脫鹽率≥98%,水利用率≥75%,產水電導率≤5μS/cm。

      混合床離子交換係統:產水量≥10~12 M³/H,產水電阻率≥17MΩ·CM(25℃)。

      實際生產運行中,單級反滲透產水電導率為1.98μS/cm,混合床離子交換係統單級出水即達到17.23MΩ·CM,完全滿足廠方生產製造的用水需要。

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反滲透+混合床工藝

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移出式再生裝置

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預處理及混合床

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反滲透主機

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單級反滲透產水電導率1.98μS/cm

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混合床產水電阻率17.23MΩ·cm